随着骁龙835出货时间的临近，首批搭载骁龙835处理器的旗舰手机也发布在即了。如果没有什么意外的话，三星Galaxy S8和小米6将会是首批最重磅的两款产品。
从今天中午业内人士@Kevin王的日记本曝光的消息来看，小米6已经在3月份排产，而且产量并不低，因此首批货源应该是有保障的。
另外，从量产时间来看，小米6在3月底发布的可能性比较大，或许会更早。
至于版本，由于米5就存在搭载低频骁龙821的“阉割版”，这不禁让人怀疑小米6是不是也会采用类似的办法，为争抢货源而采用低频版的骁龙835。
对此，@Kevin王的日记本表示，小米6会用满血版骁龙835，而且没有阉割版，“说有的都是居心不良”。
看来，米粉们这次是不用担心了，小米6所有版本应该都会搭载满血版的骁龙835。
期待吗?
1、高通骁龙835
高通于11月17日公布了下一代旗舰级骁龙处理器——骁龙835，将采用三星10nm FinFET制程工艺，支持高通新一代快充技术Quick Charge 4(即QC 4)。
那么，10nm到底有多小呢?它是几十个水分子的尺寸，也可以说是一根头发丝直径的千分之一。10nm制程芯片面积远远小于14nm制程芯片，这意味着厂商有更多的空间来为智能手机设计更大的电池或更纤薄的机身。
与其上一代14nm FinFET工艺相比，三星10nm工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上，同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。工艺的改善加上更先进的芯片设计，能够显著延长手机续航时间。
骁龙835可能将回归big.LITTLE八核设计，采用Kyro 200架构，频率可达3.0GHz以上;GPU部分为Adreno 540;LPDDR4X内存以及UFS 2.1闪存标准都将是必不可少的;骁龙835也将是全球首款搭载X16千兆基带的移动SoC，支持Cat.16，下行速率可达1Gbps。
与QC 3.0相比，高通新一代快充技术Quick Charge 4充电速度快了20%，充电效率提高30%，而充电温度下降5°C。高通方面将QC 4称为“充电五分钟，使用五小时”，可在15分钟之内将一部智能手机从零电量充到50%电量。
QC 4与前几代相比在许多方面有突破，它兼容USB Type-C和USB Power Delivery(USB PD)，采用最佳电压智能协商(INOV)算法第3版，支持Dual Charge与Battery Saver技术。
日前，业内人士@Kevin王的日记本在微博中表示骁龙835在海外将首发于三星Galaxy S8，国内将由小米6首发，这两款旗舰机型最早明年三月开卖，LG与HTC等厂商也将相继发布搭载骁龙835的旗舰机型。相信骁龙835将是明年安卓旗舰机型的标配处理器。
